￥ 0.2

NTD4906N-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

54A,30V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTD4906N-1G 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页

NTD4906N-1G 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTD4906N-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

8 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.6 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

14A

输入电容值(Ciss)

1932pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.38W (Ta), 37.5W (Tc)

查看数据手册 >

NTD4906N-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTD4906N-1G 符合标准

NTD4906N-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.12 MByte

NTD4906N-1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.25 MByte

NTD4906N1 数据手册

NTD4906N-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

54A,30V功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号