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NTD4963N-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

30V,44A,9.6mΩ,单N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD4963N-1G 数据手册 (7 页)

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NTD4963N-1G 数据手册 (7 页)

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NTD4963N-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

13.6 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.64 W

阈值电压

1.45V ~ 2.5V

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

8.10 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

1035pF @12V(Vds)

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1640 mW

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NTD4963N-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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NTD4963N-1G 符合标准

NTD4963N-1G 海关信息

NTD4963N-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.14 MByte

NTD4963N-1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.12 MByte

NTD4963N-1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.08 MByte

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30V,44A,9.6mΩ,单N沟道MOSFET

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