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NTD5862N
0.443
NTD5862N 数据手册 (8 页)
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NTD5862N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DPAK-3
漏源极电阻
5.7 mΩ
极性
N-CH
功耗
96 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
90A

NTD5862N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
2500

NTD5862N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.14 MByte

NTD5862 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
90A,60V,N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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