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NTD5865N 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

IPAK

描述:

N沟道功率MOSFET的60 V， 38 A， 18米？ N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD5865N 数据手册 (7 页)

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NTD5865N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

IPAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

38A

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NTD5865N 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

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