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NTD5865NL
0.946
NTD5865NL 数据手册
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NTD5865NL 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DPAK-3
漏源极电阻
19 mΩ
极性
N-CH
功耗
52 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
40A

NTD5865NL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
2500

NTD5865 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD5865NLT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
34A,60V,N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的60 V, 38 A, 18米? N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m
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