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Datasheet 搜索 > 分立器件 > NTE Electronics > NTE159-10 Datasheet 文档
NTE159-10
7.262

NTE159-10 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
83.3 °C⁄W
极性
PNP
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80.0V (min)

NTE159-10 数据手册

NTE Electronics
3 页 / 0.02 MByte
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