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NTGD1100LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

电源管理

封装:

TSOT-23-6

描述:

功率MOSFET 8 V ，？ 0.3 A，具有电平转换， P通道负载开关， TSOP- 6 Power MOSFET 8 V, ?.3 A, Load Switch with Level−Shift, P−Channel, TSOP−6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTGD1100LT1 数据手册 (5 页)

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封装尺寸在5 页

原理图在1 页

NTGD1100LT1 数据手册 (5 页)

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NTGD1100LT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

3.30 A

封装

TSOT-23-6

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

80.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

830 mW

漏源极电压(Vds)

8 V

漏源击穿电压

8.00 V

栅源击穿电压

1.20 V

连续漏极电流(Ids)

-3.30 A to 3.30 A

输出电流(Max)

3.3 A

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NTGD1100LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTGD1100LT1 符合标准

NTGD1100LT1 海关信息

NTGD1100LT1 概述

NTGD1100LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

NTGD1100LT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

22 页 / 0.07 MByte

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