输入电容值(Ciss)
565pF @5V(Vds)
●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.2A/-0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 100mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -3.5A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Power MOSFET Features • Ultra Low RDS(on) • Higher Efficiency Extending Battery Life • Miniature TSOP−6 Surface Mount Package • Pb−Free Package is Available Applications • Power Management in Portable and Battery−Powered Products, i.e.:Cellular and Cordless Telephones, and PCMCIA Cards 描述与应用| 功率MOSFET 特点 •超低RDS（上） •更高的效率延长电池寿命 •微型TSOP-6表面贴装封装 •无铅包装是可用 应用 •电源管理在便携式和电池供电产品，即：蜂窝，无绳电话，PCMCIA卡
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ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV
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-2A,P沟道MOSFET
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-2A,-20V,P沟道MOSFET
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-3.7A,-20V功率MOSFET
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