NTGS4111P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TSOP-6

描述:

功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTGS4111P 数据手册

暂未收录 NTGS4111P 的数据手册

登录以发送补充文档请求

NTGS4111P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TSOP-6

漏源极电阻

68 mΩ

极性

P-CH

功耗

1.25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

4.7A

NTGS4111P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

3000

NTGS4111P 符合标准

NTGS4111 数据手册

NTGS4111PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NTGS4111PT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP

NTGS4111PT2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

-4.7A,-30V,P沟道MOSFET

NTGS4111PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号