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NTGS4111PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-6

描述:

功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NTGS4111PT1 数据手册 (6 页)

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NTGS4111PT1 数据手册 (6 页)

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NTGS4111PT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-3.70 A

封装

SOT-23-6

漏源极电阻

68.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

630mW (Ta)

输入电容

750 pF

栅电荷

32.0 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.70 A

输入电容值(Ciss)

750pF @15V(Vds)

耗散功率(Max)

630mW (Ta)

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NTGS4111PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTGS4111PT1 符合标准

NTGS4111PT1 概述

NTGS4111PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

NTGS4111PT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

22 页 / 0.07 MByte

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