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NTHD2102PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SMD-8

描述:

功率MOSFET -8.0 V， -4.6的双P沟道ChipFET Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NTHD2102PT1 数据手册 (6 页)

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NTHD2102PT1 数据手册 (6 页)

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NTHD2102PT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-8.00 V

额定电流

-3.40 A

封装

SMD-8

漏源极电阻

100 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.10 W

漏源极电压(Vds)

8 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

3.40 A

上升时间

20.0 ns

输入电容值(Ciss)

715pF @6.4V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

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NTHD2102PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTHD2102PT1 符合标准

NTHD2102PT1 海关信息

NTHD2102PT1 概述

NTHD2102PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.06 MByte

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24 页 / 0.56 MByte

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