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NTHD3102C
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NTHD3102C 数据手册 (20 页)
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NTHD3102C 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
ChipFET-8
漏源极电阻
45 mΩ
极性
N+P
功耗
2.1 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.5A

NTHD3102C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NTHD3102C 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 1.45 MByte

NTHD3102 数据手册

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