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NTHD4102PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

1206A-03

描述:

功率MOSFET -20 V， -4.1 A，双P沟道ChipFET Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NTHD4102PT1 数据手册 (5 页)

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NTHD4102PT1 数据手册 (5 页)

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NTHD4102PT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-2.90 A

封装

1206A-03

漏源极电阻

120 mΩ

极性

P-Channel

功耗

600 mW

漏源极电压(Vds)

20.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

2.90 A

上升时间

12.0 ns

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NTHD4102PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

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NTHD4102PT1 符合标准

NTHD4102PT1 海关信息

NTHD4102PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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