●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 5.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 45mΩ@ VGS =2.5V, ID =4.3A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.6V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.3W Description & Applications| Power MOSFET N−Channel Chip FET Features • Low RDS(on) for Higher Efficiency • Logic Level Gate Drive • Miniature Chip FET Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available Applications • Power Management in Portable and Battery−Powered Products; i.e.,Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards 描述与应用| 功率MOSFET N沟道芯片FET 特点 •低RDS（ON），以获得更高效率 •逻辑电平栅极驱动器 •微型芯片FET表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用 应用 •电源管理在便携式和电池供电的产品，也就是说，蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡
ON Semiconductor（安森美）
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功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTHS5404T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 600 mV
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