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NTJD1155L
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NTJD1155L 数据手册 (20 页)
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NTJD1155L 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-363-6
漏源极电阻
175 mΩ
极性
Dual P
功耗
0.4 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
8 V
连续漏极电流(Ids)
1.3A

NTJD1155L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NTJD1155L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 1.45 MByte

NTJD1155 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTJD1155LT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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