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NTJD4105CT4
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NTJD4105CT4 数据手册 (8 页)
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NTJD4105CT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电流
630 mA
封装
SOT-363
漏源极电阻
360 mΩ, 510 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
270 mW
输入电容
46.0 pF
栅电荷
3.00 nC
漏源极电压(Vds)
20V, 8V
连续漏极电流(Ids)
775 mA
输入电容值(Ciss)
46pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
270 mW

NTJD4105CT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTJD4105CT4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.14 MByte

NTJD4105 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTJD4105CT1G  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
ON Semiconductor(安森美)
0.775A,20V,N/P沟道组合MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
NTJD4105CT1 复合场效应管 20V/-8V 910mA/-1.1A SOT-363/SC70-6/SC-88 marking/标记 DC-DC转换 负载/功率开关
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET的20 V / -8.0 V,互补, 0.63 A / -0.775 A, SC -88 Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET的20 V / -8.0 V,互补, 0.63 A / -0.775 A, SC -88 Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET的20 V / -8.0 V,互补, 0.63 A / -0.775 A, SC -88 Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88
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