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NTJD4152P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOT-363-6

描述:

海沟小信号MOSFET 20 V ， 0.88 A，双P通道， ESD保护SC- 88 Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88

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NTJD4152P 数据手册 (5 页)

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NTJD4152P 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-363-6

漏源极电阻

260 mΩ

极性

Dual P

功耗

0.272 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.88A

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NTJD4152P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

3000

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NTJD4152P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

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