器件3D模型

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NTJD4401NT2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-88-6

描述:

小信号20V,双N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

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焊盘图

引脚图

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NTJD4401NT2G 数据手册 (5 页)

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NTJD4401NT2G 数据手册 (5 页)

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NTJD4401NT2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

775 mA

封装

SC-88-6

漏源极电阻

510 mΩ

极性

N-Channel

功耗

270 mW

输入电容

46.0 pF

栅电荷

3.00 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

630 mA

上升时间

227 ns

输入电容值(Ciss)

46pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

270 mW

下降时间

506 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

550 mW

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NTJD4401NT2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD4401NT2G 符合标准

NTJD4401NT2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

NTJD4401NT2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.18 MByte

NTJD4401NT2 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET 20 V ，双N沟道， SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection

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小信号20V,双N沟道MOSFET

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