器件3D模型

￥ 0.098

NTJS3151PT2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-88-6

描述:

沟槽功率MOSFET的12 V ， 3.3 A单P沟道， ESD保护SC- 88 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTJS3151PT2G 数据手册 (5 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在5 页

NTJS3151PT2G 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTJS3151PT2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-12.0 V

额定电流

-2.70 A

封装

SC-88-6

通道数

1 Channel

漏源极电阻

133 mΩ

极性

P-Channel

功耗

625 mW

输入电容

850 pF

栅电荷

8.60 nC

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

12 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.70 A

上升时间

1.5 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

625 mW

下降时间

3.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625mW (Ta)

查看数据手册 >

NTJS3151PT2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTJS3151PT2G 符合标准

NTJS3151PT2G 海关信息