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NTJS4151P
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NTJS4151P 数据手册 (7 页)
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NTJS4151P 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363-6
漏源极电阻
47 mΩ
极性
P-CH
功耗
1 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
4.2A

NTJS4151P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NTJS4151P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte

NTJS4151 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTJS4151PT1G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88
ON Semiconductor(安森美)
沟槽功率MOSFET -20 V, -4.2 A,单P沟道, SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88
ON Semiconductor(安森美)
沟槽功率MOSFET -20 V, -4.2 A,单P沟道, SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88
Diodes(美台)
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