器件3D模型

￥ 0.239

NTJS4151PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-88-6

描述:

沟槽功率MOSFET -20 V， -4.2 A，单P沟道， SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88

Pictures:

3D模型

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焊盘图

引脚图

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NTJS4151PT1 数据手册 (5 页)

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NTJS4151PT1 数据手册 (5 页)

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NTJS4151PT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-3.30 A

封装

SC-88-6

通道数

1 Channel

漏源极电阻

180 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.30 A

上升时间

1.7 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @10V(Vds)

下降时间

4.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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NTJS4151PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJS4151PT1 符合标准