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NTK3134N
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NTK3134N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-723-3
漏源极电阻
350 mΩ
极性
N-CH
功耗
0.45 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.89A

NTK3134N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
8000

NTK3134N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte

NTK3134 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTK3134NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 890 mA, 20 V, 0.2 ohm, 4.5 V, 1.2 V
ON Semiconductor(安森美)
0.89A,20V,N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
20V,0.89A,350mΩ,小信号N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的20 V 890 mA时,单N通道带ESD保护, SOT- 723 Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SOT−723
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