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NTK3139P
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NTK3139P 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-723-3
漏源极电阻
480 mΩ
极性
P-CH
功耗
0.55 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.78A

NTK3139P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
8000

NTK3139P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte

NTK3139 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
20 V,-0.78A,功率MOSFET,集成ESD保护
ON Semiconductor(安森美)
-0.78A,-20V,P沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -20 V, -780毫安,单P通道带ESD保护, SOT- 723 Power MOSFET −20 V, −780 mA, Single P−Channel with ESD Protection, SOT−723
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