器件3D模型

￥ 0.43

NTMD6P02R2SG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

功率MOSFET 6 A， 20 V ， PA ????频道SOICâ ???? 8 ，双 Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8, Dual

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NTMD6P02R2SG 数据手册 (6 页)

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NTMD6P02R2SG 数据手册 (6 页)

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NTMD6P02R2SG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-7.80 A

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

33 mΩ

极性

P-CH

功耗

2 W

输入电容

1.70 nF

栅电荷

35.0 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

7.80 A

输入电容值(Ciss)

1700pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

750 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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NTMD6P02R2SG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMD6P02R2SG 符合标准

NTMD6P02R2SG 海关信息