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NTMFS5H610NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

DFN

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTMFS5H610NLT1G 数据手册

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NTMFS5H610NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

5 Pin

封装

DFN

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.008 Ω

功耗

43 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

880pF @30V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

NTMFS5H610NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NTMFS5H610NLT1G 符合标准

NTMFS5H610NLT1G 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

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ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V

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