器件3D模型

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NTMS4704NR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

描述:

30V,12.3A,功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTMS4704NR2G 数据手册 (6 页)

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NTMS4704NR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

漏源极电阻

10.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.60 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.3 A

NTMS4704NR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

NTMS4704NR2G 符合标准

NTMS4704NR2G 数据手册

NTMS4704NR2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.06 MByte

NTMS4704NR2 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET的30 V ， 12.3 A单N沟道， SO- 8 Power MOSFET 30 V, 12.3 A, Single N−Channel, SO−8

NTMS4704NR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

30V,12.3A,功率MOSFET

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