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NTP18N06 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

27A,60V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTP18N06 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTP18N06 数据手册 (8 页)

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NTP18N06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

15.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

90.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

48.4 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

15.0 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

450pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

48.4W (Tc)

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NTP18N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

长度

10.28 mm

宽度

4.82 mm

高度

9.28 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTP18N06 符合标准

NTP18N06 海关信息

NTP18N06 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

NTP18N06 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

24 页 / 0.56 MByte

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