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NTP6413AN
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NTP6413AN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
42A

NTP6413AN 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.17 MByte

NTP6413 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTP6413ANG  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V 42A TO-220
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的100 V, 42 A, 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
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