￥ 130.415

NTP8G202NG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTP8G202NG 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.29 ohm, 8 V, 2.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTP8G202NG 数据手册 (6 页)

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NTP8G202NG 数据手册 (6 页)

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NTP8G202NG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.29 Ω

极性

N-Channel

功耗

65 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

4.5 ns

输入电容值(Ciss)

760pF @400V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

65W (Tc)

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NTP8G202NG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.53 mm

宽度

4.83 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTP8G202NG 符合标准

NTP8G202NG 概述

NTP8G202NG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

NTP8G202NG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

15 页 / 0.72 MByte

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ON SEMICONDUCTOR NTP8G202NG 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.29 ohm, 8 V, 2.1 V

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