●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.55Ω @-200mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.1--2.83 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life RDSon = 0.80 , VGS = −10 V RDSon = 1.10 , VGS = −4.5 V • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 的RDSon，VGS=0.80= -10 V 导通电阻RDSon= 1.10，VGS=-4.5 V •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
24 页 / 0.56 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTR0202PLT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
-25A,-30V功率MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -20 V， -400毫安， P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -20 V， -400毫安， P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -20 V， -400毫安， P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
