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NTR2101PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

小信号MOSFET Small Signal MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTR2101PT1 数据手册 (6 页)

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封装尺寸在6 页

NTR2101PT1 数据手册 (6 页)

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NTR2101PT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-8.00 V

额定电流

-3.70 A

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

79.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

960mW (Ta)

输入电容

1.17 nF

栅电荷

15.0 nC

漏源极电压(Vds)

8 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

3.70 A

输入电容值(Ciss)

1173pF @4V(Vds)

耗散功率(Max)

960mW (Ta)

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NTR2101PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTR2101PT1 符合标准

NTR2101PT1 概述

NTR2101PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

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