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NTR4101P
0.03
NTR4101P 数据手册 (6 页)
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NTR4101P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
85 mΩ
极性
P-CH
功耗
0.73 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.2A

NTR4101P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NTR4101P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

NTR4101 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR4101PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
ON Semiconductor(安森美)
沟槽功率MOSFET -20 V,单P沟道, SOT -23 Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
沟槽功率MOSFET -20 V,单P沟道, SOT -23 Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23
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