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NTR4502P
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NTR4502P 数据手册 (5 页)
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NTR4502P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
350 mΩ
极性
P-CH
功耗
1.25 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.95A

NTR4502P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NTR4502P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte

NTR4502 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR4502PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.95 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -3 V
ON Semiconductor(安森美)
-1.95A,-30V,P沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
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