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NTR4502PT3
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NTR4502PT3 数据手册 (5 页)
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NTR4502PT3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-1.95 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
240 mΩ
极性
P-Channel
功耗
400 mW
输入电容
200 pF
栅电荷
10.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.95 A
输入电容值(Ciss)
200pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
400 mW

NTR4502PT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTR4502PT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.18 MByte

NTR4502 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR4502PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.95 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -3 V
ON Semiconductor(安森美)
-1.95A,-30V,P沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
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