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NTS2101P
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NTS2101P 数据手册 (5 页)
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NTS2101P 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-323-3
漏源极电阻
100 mΩ
极性
P-CH
功耗
0.29 W
阈值电压
0.7 V
漏源极电压(Vds)
8 V
连续漏极电流(Ids)
1.4A

NTS2101P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NTS2101P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte

NTS2101 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NTS2101 P沟道MOS场效应管 -8V -1.4mA 0.065ohm SOT-323 marking/标记 TS 低导通电阻 1.8V低栅极驱动
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTS2101PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -8.0 V, -1.4 A,单P沟道, SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -8.0 V, -1.4 A,单P沟道, SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70
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