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NTS4101P
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NTS4101P 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-323-3
漏源极电阻
120 mΩ
极性
P-CH
功耗
0.329 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.37A

NTS4101P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
最小包装数量
3000

NTS4101P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte

NTS4101 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -20 V, -1.37 A单P沟道, SC- 70 Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -20 V, -1.37 A单P沟道, SC- 70 Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70
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