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> 二极管阵列 > ON Semiconductor(安森美) > NTSB30100CT-1G Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 0.64
NTSB30100CT-1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
二极管阵列
封装:
TO-262-3
描述:
非常低正向电压沟槽型肖特基整流器 Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NTSB30100CT-1G 数据手册 (8 页)
引脚图
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在
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NTSB30100CT-1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
封装
TO-262-3
正向电压
850mV @15A
正向电流
15 A
最大正向浪涌电流
160 A
正向电压(Max)
850 mV
正向电流(Max)
30000 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
查看数据手册 >
NTSB30100CT-1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃
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NTSB30100CT-1G 符合标准
NTSB30100CT-1G 概述
●
二极管阵列 1 对共阴极 肖特基 100 V 15A 通孔 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
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数据手册
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非常低正向电压沟槽型肖特基整流器 Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
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