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NVB082N65S3F 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-263

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 650 V, 0.064 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NVB082N65S3F 数据手册 (9 页)

NVB082N65S3F 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-263

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.064 Ω

功耗

313 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

工作温度(Max)

150 ℃

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NVB082N65S3F 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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NVB082N65S3F 符合标准

NVB082N65S3F 概述

NVB082N65S3F 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.22 MByte

NVB082N65S3F 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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NVB082N65S3 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 650 V, 0.064 ohm, 10 V, 5 V

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