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NVD5C684NLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

RF模块、IC及配件

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 2.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NVD5C684NLT4G 数据手册

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NVD5C684NLT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0137 Ω

功耗

27 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

43 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

NVD5C684NLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NVD5C684NLT4G 符合标准

NVD5C684NLT4G 数据手册

NVD5C684NLT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 2.1 V

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