器件3D模型

￥ 0.8

NVMFD5C470NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

DFN-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 36 A, 40 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NVMFD5C470NLT1G 数据手册

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NVMFD5C470NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

DFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0092 Ω

功耗

3 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

590pF @25V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

NVMFD5C470NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NVMFD5C470NLT1G 符合标准

NVMFD5C470NLT1G 数据手册

NVMFD5C470NLT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.2 MByte

NVMFD5C470NLT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

NVMFD5C470NLT1 数据手册

NVMFD5C470NLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 36 A, 40 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2.2 V

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