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NVMFS5113PLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

DFN-5

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -64 A, -60 V, 0.0105 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NVMFS5113PLT1G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

NVMFS5113PLT1G 数据手册 (7 页)

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NVMFS5113PLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

DFN-5

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0105 Ω

功耗

3.8 W

输入电容

4400 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @25V(Vds)

下降时间

77 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 150W (Tc)

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NVMFS5113PLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NVMFS5113PLT1G 符合标准

NVMFS5113PLT1G 概述

NVMFS5113PLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.16 MByte

NVMFS5113PLT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.17 MByte

NVMFS5113PLT1 数据手册

NVMFS5113PLT1G 数据手册

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晶体管, MOSFET, P沟道, -64 A, -60 V, 0.0105 ohm, -10 V, -2.5 V

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