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NVMFS5C680NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SO-FL

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 0.0229 ohm, 10 V, 2.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NVMFS5C680NLT1G 数据手册 (7 页)

NVMFS5C680NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

5 Pin

封装

SO-FL

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.0229 Ω

功耗

3.4 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

12.5 ns

输入电容值(Ciss)

330pF @25V(Vds)

下降时间

2.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3400 mW

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NVMFS5C680NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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NVMFS5C680NLT1G 符合标准

NVMFS5C680NLT1G 概述

NVMFS5C680NLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.16 MByte

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ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.17 MByte

NVMFS5C680NLT1 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 0.0229 ohm, 10 V, 2.2 V

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