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NVR1P02T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NVR1P02T1G 数据手册 (5 页)

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NVR1P02T1G 数据手册 (5 页)

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NVR1P02T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.148 Ω

极性

P-Channel

功耗

400 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

165pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

400 mW

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400mW (Ta)

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NVR1P02T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NVR1P02T1G 符合标准

NVR1P02T1G 概述

NVR1P02T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

NVR1P02T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.99 MByte

NVR1P02T1G 产品封装文件

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.08 MByte

NVR1P02T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.71 MByte

NVR1P02T1 数据手册

NVR1P02T1G 数据手册

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