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NVTFS4C08N
器件3D模型
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NVTFS4C08N 数据手册
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NVTFS4C08N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
WDFN-8
漏源极电阻
9 mΩ
极性
N-CH
功耗
31 W
阈值电压
2.2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
55A

NVTFS4C08N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
5000

NVTFS4C08 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
30V,55A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
30V,55A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
30V,55A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
30V,55A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET
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