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NVTFS6H850NTAG
器件3D模型
0.435
NVTFS6H850NTAG 数据手册
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NVTFS6H850NTAG 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
WDFN-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0085 Ω
功耗
107 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
80 V
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
1140pF @40V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3200 mW

NVTFS6H850NTAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

NVTFS6H850NTAG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte

NVTFS6H850 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 80 V, 0.0085 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 80V 68A
ON Semiconductor(安森美)
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