器件3D模型

￥ 0.224

NVTFS6H888NTAG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

WDFN

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 80 V, 0.0457 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NVTFS6H888NTAG 数据手册

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NVTFS6H888NTAG 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

WDFN

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0457 Ω

功耗

2.9 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

80 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

220pF @40V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2900 mW

NVTFS6H888NTAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NVTFS6H888NTAG 符合标准

NVTFS6H888NTAG 概述

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