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Datasheet 搜索 > 晶体管 > Nexperia(安世) > NX3020NAKS,115 Datasheet 文档
NX3020NAKS,115
0.026
NX3020NAKS,115 数据手册 (16 页)
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NX3020NAKS,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
2.7 Ω
功耗
0.28 W
阈值电压
1.2 V
输入电容
20 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
13pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
375 mW
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375 mW

NX3020NAKS,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NX3020NAKS,115 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 0.38 MByte

NX3020 数据手册

Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V
Nexperia(安世)
NX3020NAKS,115 编带
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V
NXP(恩智浦)
NX3020 系列 30 V 180 mA 表面贴装 双 N-沟道 Trench MOSFET - TSSOP-6
Nexperia(安世)
N-沟道 30 V 4.5 Ohm 0.34 nC 表面贴装 Trench Mosfet - SOT-23
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
2个N沟道 30V 200mA
NXP(恩智浦)
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