Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > NXP(恩智浦) > PBRN113EK,115 Datasheet 文档
PBRN113EK,115
0
PBRN113EK,115 数据手册 (17 页)
查看文档
或点击图片查看大图

PBRN113EK,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
700mA
最小电流放大倍数
180 @300mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW

PBRN113EK,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

PBRN113EK,115 数据手册

NXP(恩智浦)
17 页 / 0.14 MByte

PBRN113 数据手册

Nexperia(安世)
双电阻器数字 NPN 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia(安世)
双电阻器数字 NPN 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
NXP(恩智浦)
NXP  PBRN113ET,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
NXP(恩智浦)
NPN 800毫安, 40 V BISS再生能源技术; R 1 = 1千欧,R2 = 1kΩ的 NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ
NXP(恩智浦)
双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NPN 800毫安, 40 V BISS再生能源技术; R 1 = 1千欧,R2 = 10千欧 NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z