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PBRN123YS
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PBRN123YS 数据手册
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PBRN123YS 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SPT
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
800mA

PBRN123YS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PBRN123 数据手册

Nexperia(安世)
双电阻器数字 NPN 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia(安世)
NPN - 预偏压 600mA 40V
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NPN 800毫安, 40 V BISS再生能源技术; R1 = 2.2千欧, R2 = 10 kΩ的 NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
NXP(恩智浦)
双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7
NXP(恩智浦)
NPN 800毫安, 40 V BISS再生能源技术; R1 = 2.2千欧,R2 = 2.2千欧 NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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