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PBRP113ET,215
0.075
PBRP113ET,215 数据手册 (12 页)
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PBRP113ET,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
0.57 W
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
600mA
最小电流放大倍数
130 @300mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW

PBRP113ET,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1 mm

PBRP113ET,215 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.1 MByte

PBRP113 数据手册

Nexperia(安世)
PNP - 预偏压 600mA 40V
Nexperia(安世)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -40 V, -800 mA, 1 kohm, 1 kohm
NXP(恩智浦)
NXP  PBRP113ZT  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 mW, -600 mA, 320 hFE
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PBRP113ET  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 mW, -600 mA, 210 hFE
Nexperia(安世)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -40 V, -800 mA, 1 kohm, 10 kohm
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
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